Високоякісна технологія росту епітаксіального матеріалу:
Високоякісна технологія росту епітаксіального матеріалу: Технологія росту напівпровідникового лазерного епітаксіального матеріалу є основою розробки напівпровідникового лазера. Він в основному оптимізує допінгову криву, щоб зменшити перекриття між оптичним полем і сильно оминутою областю, тим самим зменшуючи втрату вільного поглинання носія і підвищуючи ефективність перетворення пристрою.
Технологія обробки порожнинної поверхні: За допомогою технології пасивації та покриття поверхні порожнини, зменшуйте або усувуйте дефекти поверхні порожнини та окислення, зменшуйте поглинання світла поверхні порожнини, збільшуйте значення ПОВЕРХНІ порожнини COMD та досягніть високої пікової потужності
Інтегрована технологія упаковки: Дослідження ключової технології високоенерційної напівпровідникної лазерної упаковки - це старт від аспектів тепла, пакувальних матеріалів і напружень, вирішення дизайну упаковки теплового управління і теплового стресу, а також досягнення технологічного прориву в розробці прямих напівпровідникових лазерів до високої потужності, високої яскравості і високої надійності.
