Довжина хвилі люмінесценції напівпровідникового лазера дорівнює 0 із зміною температури. 2-0. 3 нм / ℃, ширина спектра збільшиться, вплине на яскравість кольору. Крім того, коли прямий струм протікає через pn-перехід і робить область переходу генерує гарячкові втрати, температура поблизу кімнатної температури, підвищення температури на 1 ℃, інтенсивність світла напівпровідникового лазера відповідно зменшиться приблизно на 1%, інкапсуляційне охолодження ; Підтримка чистоти кольорів та інтенсивності світіння дуже важлива. У минулому рушійний струм більшості напівпровідникових лазерів зменшувався за рахунок зниження температури переходу. Рушійний струм більшості напівпровідникових лазерів був обмежений приблизно 20мА. Однак оптичний вихід напівпровідникових лазерів збільшується зі збільшенням струму. Рушійний струм багатьох силових напівпровідникових лазерів може досягати рівнів 70мА, 100мА і навіть 1А. Структуру упаковки потрібно вдосконалювати. Наприклад, прийнята структура інверсії мікросхеми великої площі, обраний срібний клей з хорошою теплопровідністю, збільшена площа поверхні металевої опори, а також кремнієвий носій припою відвалу безпосередньо встановлюється методом радіатора. Крім того, теплова конструкція та теплопровідність друкованої плати також дуже важливі при розробці додатків.
Напівпровідникові лазери рухають струмом