Напівпровідникові лазери, також відомі як лазерні діоди
Це лазер, що використовує напівпровідниковий матеріал як робочу речовину. Через різницю в структурі матеріалів специфічні процеси виробництва різних типів лазерів є досить особливими. Зазвичай використовувані робочі матеріали включають арсенід галію (GaAs), сульфід кадмію (CdS), фосфід індію (InP) та сульфід цинку (ZnS). Режими збудження включають електричний вприск, збудження електронного пучка та оптичну накачку. Напівпровідникові лазерні пристрої можна класифікувати на гомопереходи, одинарні гетеропереходи та подвійні гетеропереходи. Гомоперехідний лазер та одинарний гетероперехідний лазер є переважно імпульсними пристроями при кімнатній температурі, тоді як подвійний гетероперехідний лазер може досягти безперервної роботи при кімнатній температурі.
Напівпровідникові діодні лазери - найбільш практичний і важливий клас лазерів. Він має невеликі розміри, тривалий термін служби, і його можна перекачувати простим нагнітанням струму. Його робоча напруга та струм сумісні з інтегральною схемою і тому можуть бути монолітно інтегровані з нею. Також можна безпосередньо виконати модуляцію струму з частотою до ГГц, щоб отримати високошвидкісний модульований лазерний вихід. Завдяки цим перевагам напівпровідникові діодні лазери широко використовуються в лазерному зв'язку, оптичному запам'ятовуванні, оптичних гіроскопах, лазерному друку, дальномірності та радіолокації.