Волокно з'єдне Diode Laser широко використовується в різних областях, таких як невеликі розміри, хороша якість променя, тривалий термін служби і стабільні показники. Вони в основному використовуються як джерело волоконних лазерів і твердотільних лазерів. Вони також можуть бути використані безпосередньо в лазерних медичних, таких матеріалів, як облицювання, зварювання та інші поля. Напівпровідникові лазери також розробляються з високою потужністю і високою яскравістю. Високо яскраві напівпровідникові лазери мають високу оптичну щільність потужності, а розщеплювач променя однаково ідеально підходить для лазерів з волокном високої потужності. Джерело насоса. В даний час волоконно-з'єдина напівпровідникова лазерна структура в основному складається з однотрубних муфтових лазерів, багатотрубних муфтових лазерів, міні-бару і серії масивів, багатотрубних лазерів зчеплення через його високу надійність і стати мейнстрімом волоконних лазерів По-перше, ця стаття в основному вводить технологію і реалізацію реалізації високої яскравості напівпровідникового лазера за допомогою багатотрубної технології муфти волокна.
Багатотрубна структура - це поділ напівпровідникового лазерного променя, що випромінюється шляхом формування, перестановки, об'єднаної після з'єднання в єдине волокно, що може поліпшити потужність лазерного виходу. Оскільки дискретний напівпровідниковий лазерний чіп повинен бути встановлений на радіаторі з певним розміром, якщо вихідні промені безлічі напівпровідникових лазерів розташовані і цілеспрямовано з'єднуються безпосередньо, обсяг комбінованого променя, як правило, обмежений через обмеження обсягу кожного чіпа і його радіатора Великий,Волокно з'єднаний Diode Laser важко отримати невелике ядро високої яскравості волокна муфти. Для того, щоб зменшити розмір простору комбінованого променя, необхідно вжити деяких заходів. З цією метою незалежне дослідження і розробка багатотрубної муфти за допомогою сходових радіаторів, фокусуючих лінз, з'єдреного волокна і унікальної установки, оптична конструкція спрощує складність конструкції, зменшуючи розмір компонентів, значно покращуючи напівпровідник Вихідна потужність лазера, забезпечуючи при цьому розумну робочу температуру точки зчеплення.
У багатотрубна муфта перед дискретний напівпровідниковий лазерний чіп скринінгу старіння, забезпечуючи таким чином надійність багатотрубної муфти. Однобічник випадкових характеристик відмови незалежний, в порівнянні з планковим, без перешкод ефект локшини, одиночна трубка також може збільшити довговічність її заміни, з високою вартістю переваги.
Для того, щоб досягти високої яскравості,Волокно з'єднаний Diode Лазерна висока потужність може збільшити кількість одночасних однотрубних напівпровідникових лазерів для забезпечення більш високої вихідної потужності, але пучок після лазерного променя зчеплення в одне волокно також повинен відповідати трьом умовам: (БПП, продукт радіусу талії променя і радіус кута розбіжності) менше, ніж у лазерного променя. , а діаметр балки менше діаметра оптичного волокна. Волоконно-променевий параметр продукту. Тобто в практичних застосуваннях доступною площею є тільки квадратна площа волоконно-волокнистого центру.