300 мВт, 500 мВт, 976 нм, немонтована планка з лазерним чіпом

Робочим матеріалом 300 мВт 500 мВт 976 нм лазерного чіпа Unmounted Bar є напівпровідниковий матеріал, який утворює PN-перехід шляхом поєднання напівпровідника P-типу та напівпровідникового матеріалу N-типу. Завдяки прямому струму досягається інверсія числа частинок, і за технічних обмежень відбиваючого матеріалу досягається стимульоване посилення світла випромінювання. Цей процес передбачає електричне збудження як джерело накачування, напівпровідниковий матеріал як середовище підсилення через підсилення вибору режиму резонансної порожнини, а потім вихід лазера для завершення фотоелектричного перетворення