850 нм 4 мВт VCSEL діод TO46
Огляд
Особливості
Вертикальні-поверхневі-лазери, що випромінюють
Низький електричний паразитний пакет ТО-46
Високоефективний GaAs PIN-фотодіод з окремим трансімпедансним підсилювачем
Низькі струми зміщення та напруги
Висока надійність і легкість колімації
Примітка
Паяння оплавленням можна використовувати тільки один раз. Під час підвищення температури-без сил
може впливати на LD, що може деформувати або пошкодити їх. Будь ласка, після завершення пайки
також не обробляйте, поки температура продукту не знизиться до кімнатної.
Технічні характеристики:
Номер позиції: TO850VC0004
| Параметри | Тип. |
| Оптична потужність | 4 мВт |
| Пороговий струм | 0,1 мА |
| Прямий струм | 7,1 мА |
| Ефективність перетворення електроенергії | 24% |
| Ефективність схилу | 0,58 мВт/мА |
| Розмір матриці | 172 × 111 мкм |
| Пікова довжина хвилі | 850 нм |
| Лазерна пряма напруга | 2.3V |
| Серія Опір | 32.4Ω |
| Кут променя | 20 градусів |
| Довжина хвилі Темп. Дрейф | 0,07 нм/градус |
| Температура пайки | 260(5s) градус |
| Підкладка | Cu/Ag |
| Робоча температура корпусу | -20~85 градусів |
| Температура зберігання | -40~105 градусів |
Графік LIV і довжина хвилі
Механічні схеми (одиниці: мм)
Крива пайки оплавленням SMT
![2]UQ]HFA1$}%EE_I~))8BFJ](/Content/uploads/201998745/201912191359017232704.png "product-1-1")
Популярні Мітки: 850nm 4mw vcsel діод до 46 постачальників, виробників Китай, фабрика, опт, зроблено в Китаї