00 Вт 808 нм Немонтована напівпровідникова діодна лазерна шина та чіп Багатоемітерні напівпровідникові лазерні чіпи для обробки матеріалів
особливості:
- Високопотужний лазерний чіп 300 Вт
- Центральна довжина хвилі 808 нм
- Режим роботи QCW, 60 випромінювачів
- Наш лазерний чіп із високою яскравістю, високою надійністю та високою стабільністю
- Доступно з будь-якою конфігурацією з охолодженням каналу Mirco
Застосування:
- Лазерне джерело світла
- Безпосередня обробка матеріалу
- Лідар зондування
Технічний паспорт
Номер товару: LC808SB300
Назва товару: напівпровідниковий лазерний чіп 808 нм
| Оптичний | |
| Центральна довжина хвилі | 808 нм |
| Вихідна потужність | 300W |
| Режим роботи | QCW |
| Ширина спектру | 4 нм |
| Номер випромінювача | 60 |
| Ширина випромінювача | 120 |
| Ширина порожнини | 160 |
| Фактор наповнення | 75% |
| Ширина смуги | 10000 |
| Довжина порожнини | 1500 |
| Товщина | 130 |
| Швидка дивергенція осі (FWHM) | 39 град |
| Повільна дивергенція осі (FWHM) | 12 град |
| Режим поляризації | TE |
| Ефективність схилу | 1.15W/A |
| Електричний | |
| Робочий струм Iop | 280A |
| Пороговий струм Ith | 30A |
| Робоча напруга Vop | 1.9V |
| Ефективність перетворення електроенергії | |
| Теплові | |
| Робоча температура | 25 градусів |
| Температурний коефіцієнт довжини хвилі | 0,3 нм/градус |
Малювання:
Лазерні діодні смугові чіпи — це голі пластини, в яких кілька лазерних чіпів об’єднані в смугу, яка поєднує потужність окремих лазерів для отримання десятків або навіть сотень ват потужності. Основним застосуванням чіпів із лазерними діодами є медицина, лазерна обробка та-космічний оптичний зв’язок.
Лазерні діодні стрижневі мікросхеми – це високо{0}}потужні напівпровідникові лазерні пристрої, що складаються з масиву окремих лазерних діодів, виготовлених на одному чіпі. Лазерні діодні стрижневі мікросхеми використовуються в різних сферах застосування, включаючи обробку матеріалів, виробництво медичних пристроїв, друк і зображення.
Кожен окремий лазерний діод у смузі лазерного діода призначений для випромінювання світла у вузькому спектральному діапазоні, як правило, у ближньому інфрачервоному діапазоні. Вихідна потужність кожного лазерного діода коливається від кількох сотень міліват до кількох ват, залежно від конструкції та розміру пристрою. Чіпи лазерної діодної стрічки можуть випромінювати світло в безперервному (CW) або імпульсному режимі. У режимі CW лазерний діод випромінює безперервний потік світла, а в імпульсному режимі лазерний діод випромінює короткі імпульси світла високої -інтенсивності.
Процес виготовлення чіпів лазерних діодних смуг зазвичай включає епітаксійне нарощування активного та оболонкового шарів на підкладці з наступною фотолітографією та травленням для визначення структури пристрою. Потім утворюються окремі лазерні діоди шляхом розрізання пристрою на менші частини, кожна з яких містить один або кілька лазерних діодів.
Мікросхеми лазерних діодів часто комплектуються додатковими оптичними та електронними компонентами для ефективного переведення світла в оптоволокно або інші системи передачі. Пакет також забезпечує керування температурою для розсіювання тепла, що виділяється високою потужністю пристрою.
Загалом, лазерні діодні мікросхеми забезпечують високу потужність і високу яскравість, що робить їх придатними для широкого спектру промислових і наукових застосувань.
Популярні Мітки: 300W 808nm Umounted Semiconductor Diode Laser Bar and Chip постачальники, виробники Китай, фабрика, оптова торгівля, зроблено в Китаї